半導體清洗機是半導體制造中用于去除晶圓表面污染物（如顆粒、氧化物、金屬殘留）的關鍵設備，通過物理或化學方法確保芯片表面潔凈度，直接影響良率與性能。以下是對該產品的詳細介紹：
功能特點
多模式清洗技術
濕法清洗：基于化學溶液（如RCA標準配方SC-1、SC-2，或DHF緩沖氧化蝕刻液）的腐蝕反應，去除有機物、金屬污染及氧化物。部分設備集成兆聲波（MHz級高頻聲波）或超聲波（40kHz），通過空化效應剝離亞微米級顆粒，避免機械接觸損傷。
干法清洗：采用等離子體刻蝕或氣相化學反應，清除光刻膠殘留或深孔結構污染物，適用于敏感材料。
高精度與均勻性控制
流體動力學優化：噴淋臂對稱分布，配合勻流板和循環泵系統，確保清洗液溫度（±0.1℃）、濃度均勻性，減少陰影效應。
自動化傳輸：非接觸式機械臂或氣浮承載臺，避免晶圓劃傷；支持單片或多片連續處理，兼容6-12英寸晶圓尺寸切換。
智能化與數據追溯
AI參數優化：根據污染類型（顆粒/金屬/有機物）自動調節頻率、溫度及時間，提升清洗效率。
在線監測系統：集成激光顆粒計數器、pH/電導率傳感器，實時記錄數據并生成SPC報告，支持MES系統對接。
環保與安全設計
廢液處理：封閉式循環系統實現化學液回收率＞90%，中和裝置符合環保標準。
安全防護：配備泄漏檢測、緊急制動按鈕及氮氣保護，防止化學品泄漏風險。
技術優勢
高效清潔能力：顆粒去除率≥97%（≥0.06μm），金屬污染控制至＜0.01ppb，滿足EUV光刻及3nm以下制程需求4。
低損傷與兼容性：兆聲波替代傳統刷洗，避免物理應力；模塊化設計支持RCA、DHF、SPM等多種工藝，可擴展至更大晶圓尺寸。
綠色節能：待機功耗＜1kW，超臨界CO?干燥技術替代IPA，減少碳足跡。
應用場景
晶圓制造：光刻前去除光刻膠殘留、蝕刻后清洗聚合物、CMP后磨料去除。
特種部件：掩膜版氧氣等離子體聯合超聲波清洗、精密工具氟化物殘留去除。
封裝測試：TSV硅通孔清潔、3D NAND深孔結構處理，提升成品率
半導體清洗機通過化學濕法、物理振動及智能化控制，實現原子級潔凈度與高效生產，是制程（如3nm以下節點）的設備。未來趨勢包括AI驅動的參數優化、無氟環保工藝及納米級清洗技術，持續提升良率與可持續性。
