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是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法
SI 500 PPD是電容平板式PECVD等離子沉積設備,主要用于SiO2,SiOxNy,SiNy,a-Si,SiC薄膜的沉積 。適用于2“--8“樣片的薄膜沉...
SI 500D等離子沉積系統是ICP-PECVD設備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質薄膜。可在極低溫度下( 100ºC)沉積高質量SiO2, S...
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