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北京中科復華科技有限公司
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電子束光刻(EBL)在現代電子工業中，尤其是集成電路領域精細圖案的制作中占據核心地位。這項技術起源于早期的掃描電子顯微鏡，其基本過程是將一束電子掃描過覆蓋有對電子敏感的光阻薄膜的表面，從而以所需圖案的形式在光阻薄膜中沉積能量。電子束曝光技術的主要特點包括：1)它能夠實現分辨率(優于20納米)；2)它是一種靈活的技術，可以應用于多種材料；3)它的速度較慢，比光學光刻慢一個或多個數量級；4)它昂貴且復雜(由于鄰近效應的影響)。EBL技術在高精度和靈活性方面展現出的優勢，盡管其速度和成本問題限制了其大
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等離子體蝕刻技術在半導體制造工業中扮演著至關重要的角色，本對其進行介紹，分述如下：等離子體脈沖蝕刻技術原子層蝕刻技術帶狀束方向性蝕刻技術氣體團簇離子束蝕刻技術1等離子體脈沖蝕刻技術等離子體脈沖蝕刻技術通過周期性地開啟和關閉功率，形成一系列的脈沖循環。一個完整的等離子體脈沖蝕刻循環通常包括以下四個階段：(1)功率激發初始階段在功率啟動的初始階段，電子溫度迅速上升，同時電子和離子密度開始增加。在晶圓附近，會逐漸形成一個鞘層，但整體狀態尚未達到穩定。此階段，功率處于最大值，但電子密度仍然較低。高功率激
