了解半導體分立器件測試儀的原理

【資料簡介】

半導體分立器件測試儀 
一、產(chǎn)品特點： 
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計算機操控，測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點測試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實際測試應用中各項技術指標均可達到器件手冊技術指標及國標要求。 
二、測試參數(shù) 
1． 二管       
VF、IR、BVR 
2．  穩(wěn)壓（齊納）二管    
VF、IR、BV Z 
3．  晶體管       Transistor（NPN型/PNP型） 
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON 
4．   可控硅整流器（晶閘管）    
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM  
5．  場效應管    
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS 


6．  光電耦合器        
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT 
*7．三端穩(wěn)壓器 
VO、SV、ID、IDV

三、測試參數(shù)范圍

晶體管

 

測試參數(shù)	測試范圍
ICEO ICBO IEBO	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VCE(sat) VBE(sat)	0.10V-30V
VBE(VBE(on))	0.10V-30V
hFE	1－99999
V(BR)EBO	0.10V-30V
V(BR)CEO V(BR)CBO	0.       10V-50V 50V-1499V

 

二管

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VF	0.10V-30V
V(BR)	1V-50V
	50V-1499V

 

穩(wěn)壓二管

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VF	0.10V-30V
VZ	0.10V-50V

 

三端穩(wěn)壓器

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
VO	0.10V-30V
SV	0.10mV-1V
ID	1uA-10mA
IDV	1uA-10mA

 

MOSFET

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
VGS(th)	0.10V-30V
gfs	0.1mS-1000S
RDS(on)	10mΩ-100KΩ
VDS(on)	0.10V-50V
IGSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
IDSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
ID(on)	0-50A
V(BR)GSS	0.1V-30V
V(BR)DSS	0.1V-1499V