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不銹鋼晶間腐蝕檢測注意事項有哪些

閱讀:30發布時間:2024-8-7

  不銹鋼晶間腐蝕檢測注意事項有哪些,工業的發展,自然需要質量的保證,為此金屬檢測就成為一門深受工業界重視的學科。我們只有通過檢測吃透金屬的特性,才能制造出更高質量的金屬制品,隨著現代檢測技術的不斷發展,各種新型的檢測技術也隨之被晶間腐蝕檢測挖掘而出。
 
  鉻鎳奧氏體不銹鋼在使用前或從冶煉廠出廠時大多經過固溶處理。不銹鋼加熱至高溫(約1000 ~ 1150°C,視鋼材類型而定),保溫后迅速冷卻(一般為水冷卻)。此時,Cr - Ni奧氏體不銹鋼中的碳含量大于0.02 ~ 0.03%(隨鋼中Ni含量的不同而變化)時,鋼中的碳處于過飽和狀態。隨后,在不銹鋼的加工和制造和使用的設備和組件,如果需要加熱的敏化溫度450 ~ 850°C(如焊接或使用在這個溫度范圍內),鋼中的過飽和碳將擴散到晶界,與附近的鉻沉淀并形成碳化鉻。
 
  將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃,固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%,然后淬火。經固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體,不會產生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內,碳的固溶體不超過0.02%,過飽和碳將從奧氏體中或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區消耗的鉻沒有時間補充,因此在晶界區形成鉻貧區。對于不銹鋼來說,由于晶界鈍化狀態的破壞,晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區成為陽極區,而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態成為陰極區。在腐蝕介質中,晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大,陽極面積比小,加速了晶界區域的腐蝕。
 
  晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此,晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩定狀態。
 
  鈦和鈮:抗晶間腐蝕是有益的,因為他們的親和力與C CR的大于C .為了防止鉻碳化物的形成,首先不銹鋼加熱到1100℃將所有碳化物溶解成奧氏體,然后冷卻到900℃幾個小時反應Ti或與碳Nb。在后期碳化鉻析出溫度范圍內,加熱不會形成碳化鉻。
 
  以上就是不銹鋼晶間腐蝕檢測注意事項有哪些全方面解答,看完本文對晶間腐蝕檢測應該有了基本的了解相信大家都明白了吧!總的來說,希望對大家有所幫助。更多問題歡迎咨詢江蘇隱石檢測。

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