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鎳基合金晶間腐蝕檢測中心

閱讀:24發布時間:2024-7-16

  鎳基合金晶間腐蝕檢測中心,江蘇隱石檢測擁有2000平米的現代化綜合性的實驗室,專業從事金屬腐蝕檢測,擁有自己的數控加工中心及的檢測設備100余臺,為更精確的提供檢測數據奠定基礎。晶間腐蝕檢測找隱石檢測,讓您選擇更放心,我們常年提供金屬檢測和認證服務。
鎳基合金晶間腐蝕檢測中心
  晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此,晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩定狀態。
 
  晶間腐蝕的特點是當金屬表面沒有損傷時,晶粒間的結合力和金屬的脆響已經喪失。在嚴重的情況下,只要輕輕敲擊,它就會碎成粉末。
 
  在含Cr6 +的硝酸介質中,選擇cr14ni14和1cr18ni11ti高純Cr Ni不銹鋼,研究了C、P、Si和B對非敏化晶間腐蝕的影響;0.1%, P & gt= 0.01%,有顯著危害;當Si含量接近Cr - Ni不銹鋼的正常含量(~ 0.8%)時,非敏化晶間腐蝕敏感性,且Si含量高于或低于該含量時晶間腐蝕敏感性降低;B量& gt= 0.0008%,對非敏化晶間腐蝕有害。對低Si、低P高純Cr - Ni奧氏體鋼的進一步研究表明,這些不銹鋼在非敏化狀態下不存在晶間腐蝕傾向。透射電鏡和俄耳杰光譜儀的晶界分析結果證實,晶界上P、Si和B等元素的偏析和優先溶解是造成非敏化晶界腐蝕的主要原因。
 
  晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經1050℃固溶處理后,在強氧化介質中也會發生晶間腐蝕。這時,鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明,當p雜質達到100ppm或Si雜質達到1000 ~ 2000ppm時,它們會在高溫區晶界處吸附分離。這些雜質在強氧化劑介質的作用下會溶解,在晶界處產生選擇性晶間腐蝕。該鋼經敏化處理后不會出現晶間腐蝕,因為碳和磷形成了磷碳化物,限制了磷向晶界的擴散,降低了雜質在晶界的偏析,消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。
鎳基合金晶間腐蝕檢測中心
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