我國是消費電子產品的生產國、出口國和消費國，在國家政策的扶持下，我國眾多電子企業紛紛開發硅晶圓研發新工藝，這也標志著我國硅晶圓產業有望進入黃金期。單晶硅是一種半導體材料，其導電能力介于導體和絕緣體之間，主要應用于太陽能電池行業，是在現代電子產品的基礎材料之一。但硅晶圓對純度要求*，因此對于水質也有著超高的要求，超純水設備生產的水質可滿足行業用水需求。

　　超純水設備一般采用預處理+反滲透+EDI(混床)組合形式，具有使用壽命長、技術先進、可自我保護、高效低耗能、運行成本低，水利用率高、體較小、維修量小，運行的時間長久等優勢從根本上提升出水水質，并且延長工作周期，幫助企業實現穩定的生產，其工藝流程如下：

　　原水進入超純水系統后，主要部分流入膜元件內，另一部分沿模板外側流動，以洗去透出膜外的離子。接下來膜元件截留下水中的溶存離子，被截留的離子在電極作用下，陰離子向正極方向運動，陽離子向負極方向運動。之后陽離子透過陽離子膜被排出，陰離子透過陰離子膜被排出，被濃縮的離子從廢水流路中排出，最后去離子水從膜內流出。

　　單晶硅用超純水設備在長時間工作后，如果不定期進行維護，就很容易被污染，今天介紹這篇單晶硅用超純水設備的維護方法，建議您全文背誦。

　　1、將專用清洗液與純凈水在清洗藥箱內混合。

　　2、用清洗泵低流量將清洗液以低流速、低壓力打至反滲透系統，并排走原水，防止清洗液稀釋。

　　3、保持設備溫度穩定，用清洗泵將清洗液在系統中循環。

　　4、清洗液在設備內浸泡一小時即可，污染較嚴重的反滲透膜可進行更長時間的浸泡清洗。

　　5、用清洗泵大流量打入清洗液30—60分鐘，使反滲透膜上被洗掉的污染物隨高流速水沖走。

　　6、用清水將清洗液沖去。設備沖洗后的清水需要保證pH6.5-7.5之間。

　　萊特萊德超純水設備采用曲線微導力技術，通過先進的分離技術，將水中的離子與水分離。降低水中離子的含量，達到凈化水質及降低水中離子的目的。結合預處理系統(Sanqcar)、加藥系統等前處理系統，可實現超純水的預脫鹽目的，其出水滿足芯片生產用水的相關標準，降低企業生產的風險和成本。

　　萊特萊德超純水設備在設計上采用成熟、可靠、自動化程度高的兩級RO+EDI+精混床除鹽水處理工藝，確保處理后出水電阻率達到18 MΩ.CM以上。設備內部還安裝有反滲透預脫鹽技術，再次從根本上行保障了設備的出水水質，與此同時，EDI處理裝置廢水產出量少，不會對環境造成污染，有非常高的環境效益、經濟效益，其發展前景廣闊。