近日，實驗型噴霧干燥廠家有消息稱，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入“十四五"規劃，計劃在2021-2025年期間，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。這一消息再次將第三代半導體映入人們的視線。 第三代半導體是指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導體材料。與傳統的代、第二代半導體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比，第三代半導體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等的性能，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，是世界各國半導體研究領域的熱點。 目前，第三代半導體材料正在引起清潔能源和新一代電子信息技術的革命，無論是照明、家用電器、消費電子設備、新能源汽車、智能電網、還是用品，都對這種高性能的半導體材料有著極大的需求。根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域，每個領域產業成熟度各不相同。 科研人員披荊斬棘，沖破* 2014 年，美國總統宣布成立“下一代功率電子技術國家制造業創新中心";同期，日本建立了“下一代功率半導體封裝技術開發聯盟;歐洲啟動了產學研項目“LASTP OWER"，由意法半導體公司牽頭，協同來自意大利、德國、法國、瑞典、希臘和波蘭等六個歐洲國家的私營企業、大學和公共研究中心，聯合攻關SiC和GaN的關鍵技術。 基于第三代半導體的廣闊應用前景、巨大的市場需求和經濟效益，繼半導體照明以后，美國將第三代半導體材料的電子電力器件應用提升到國家戰略的高度，確保美國在這一領域的優勢地位。由于第三代半導體材料及其制作的器件的*性、實用性和戰略性，許多發達國家將第三代半導體材料列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰略制高點。目前美歐日具備較為成熟的GaN半導體材料產業體系。 目前我國第三代半導體材料市場仍以日美歐廠商為主角，但近幾年我國已經開始大力扶持第三代半導體產業。在國家 “863計劃"，《國家半導體照明工程》《“十三五"材料領域科技創新專項規劃》等政策的支持下，第三代半導體的研究取得了一系列突破性進展。
