国产精自产拍久久久久久蜜,亚洲视频在线观看,亚洲小说图片,国产伦精品一区二区三区免.费

上海克默電子有限公司

主營產品: 電子商品、電子元器件

您現在的位置: 首頁>>產品展示>>電氣自動化

公司信息

人:
張獻超
址:
金山區衛昌路251號2幢1019室
編:
鋪:
http://www.aboay.com/st156556/
給他留言

產品展示

Product

全部熱門

共計 353 條產品信息

產品圖片 產品名稱
PM50B6LB060
PM50B6LB060
簡單介紹:三菱PM50B6LB060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM25RL1A120
PM25RL1A120
簡單介紹:三菱PM25RL1A120模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM150CS1D060
PM150CS1D060
簡單介紹:三菱PM150CS1D060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM75CL1B120
PM75CL1B120
簡單介紹:三菱PM75CL1B120模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM50RL1C060
PM50RL1C060
簡單介紹:三菱PM50RL1C060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM50B6LA060
PM50B6LA060
簡單介紹:三菱PM50B6LA060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM150CL1B060
PM150CL1B060
簡單介紹:三菱PM150CL1B060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM75CL1B060
PM75CL1B060
簡單介紹:三菱PM75CL1B060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM50RL1B120
PM50RL1B120
簡單介紹:三菱PM50RL1B120模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM50B6L1C060
PM50B6L1C060
簡單介紹:三菱PM50B6L1C060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM25CL1B120
PM25CL1B120
簡單介紹:三菱PM25CL1B120模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM150CL1A120
PM150CL1A120
簡單介紹:三菱PM150CL1A120模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM75CL1A120
PM75CL1A120
簡單介紹:三菱PM75CL1A120模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM50RL1B060
PM50RL1B060
簡單介紹:三菱PM50RL1B060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM50B5LB060
PM50B5LB060
簡單介紹:三菱PM50B5LB060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM25CL1A120
PM25CL1A120
簡單介紹:三菱PM25CL1A120模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM150CL1A060
PM150CL1A060
簡單介紹:三菱PM150CL1A060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM75CL1A060
PM75CL1A060
簡單介紹:三菱PM75CL1A060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM50RL1A120
PM50RL1A120
簡單介紹:三菱PM50RL1A120 模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
PM50B5LA060
PM50B5LA060
簡單介紹:三菱PM50B5LA060模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
每頁20條 共353條上一頁1234567跳轉至





產品對比 二維碼

掃一掃訪問手機商鋪

對比框

在線留言
主站蜘蛛池模板: 乐清市| 安义县| 嘉鱼县| 崇左市| 闻喜县| 大田县| 松滋市| 高阳县| 普定县| 泰兴市| 鹤岗市| 弋阳县| 罗源县| 贵定县| 绿春县| 襄垣县| 阿拉善右旗| 安康市| 仙桃市| 景宁| 准格尔旗| 玛纳斯县| 开封市| 玉田县| 迁西县| 侯马市| 横山县| 黎川县| 思南县| 卫辉市| 木里| 南汇区| 大丰市| 巴林右旗| 弥渡县| 北碚区| 福建省| 石屏县| 达尔| 马公市| 伽师县|