濕法腐蝕臺6寸是專為6英寸晶圓設計的濕法腐蝕處理設備，廣泛應用于半導體制造、科研實驗等領域。以下是其技術(shù)特點與核心解析：

一、核心功能與工藝原理

腐蝕工藝

化學腐蝕：通過酸性或堿性溶液（如H?O?/H?PO?、HF/HNO?等）對6英寸晶圓表面進行選擇性腐蝕，去除氧化層、殘留薄膜或污染物。

均勻性控制：采用旋轉(zhuǎn)噴淋（如10-100rpm可調(diào)）或超聲波輔助，確保腐蝕厚度一致性（CV值＜5%）。

溫度與時間調(diào)控：恒溫槽體（精度±0.5℃）結(jié)合可編程計時器，精確控制腐蝕速率。

關(guān)鍵應用

去除光刻膠殘留、氧化硅（SiO?）薄膜或金屬污染層。

制備特定表面粗糙度（如納米級紋理）或圖形化腐蝕（需掩膜配合）。

科研領域：半導體材料研究、微機電系統(tǒng)（MEMS）器件加工等。

二、設備結(jié)構(gòu)與技術(shù)優(yōu)勢

模塊化設計

腐蝕槽：采用PFA、PTFE或石英材質(zhì)，耐強酸強堿腐蝕，支持單槽或多槽聯(lián)動（如清洗→腐蝕→漂洗）。

傳輸系統(tǒng)：機械手或真空吸附臂實現(xiàn)6英寸晶圓精準傳輸，定位精度±0.1mm，支持倒片功能。

干燥單元：熱氮烘干或IPA（異丙醇）甩干，防止水漬殘留。

技術(shù)亮點

均勻性保障：噴淋頭360°旋轉(zhuǎn)+晶圓自轉(zhuǎn)，解決邊緣腐蝕不均問題。

污染防控：槽體溢流設計+顆粒過濾器（0.1μm級），減少二次污染。

數(shù)據(jù)追溯：集成MES系統(tǒng)，記錄每片晶圓的腐蝕參數(shù)（時間、溫度、液流量等），支持良率分析。

三、選型要點

腐蝕精度：根據(jù)工藝需求選擇CV值（如＜3%或＜5%）。

產(chǎn)能匹配：單機每小時處理量（如40-80片/小時）需符合產(chǎn)線節(jié)拍。

維護成本：優(yōu)先選擇耗材（如密封圈、O型圈）易更換、廢液處理模塊集成度高的設備