PSPB10000 脈沖慢正電子束流是一種可精 確調(diào)制時間、能量和位置的正電子 束流，通過電磁線圈和電場的控制，可以實現(xiàn)對材料近表面和界面的結(jié)構(gòu)形態(tài)進 行分層掃描，可以實現(xiàn)材料中微觀缺陷態(tài)的分層測量，從而對材料表面與界面進 行結(jié)構(gòu)表征。
PSPB10000 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
從放射源產(chǎn)生的正電子首先通過慢化體能量降低到熱能，然后通過聚束線圈 實現(xiàn)對位置的調(diào)控，通過斬波器實現(xiàn)對時間的調(diào)控，通過加速電極實現(xiàn)對能量的 調(diào)控。經(jīng)過 PSPB10000 調(diào)制過的正電子可以停留在樣品的特定深度。
正電子能量與在材料中注入深度的關系
技術(shù)指標
1. 正電子源強度≧20mCi
2. 真空度≤10-5Pa；
3. 束斑直徑≤10mm；
4. 脈沖寬度≤250ps；
5. 正電子能量調(diào)節(jié)范圍：0.25-30keV；
6. 正電子能量最小調(diào)節(jié)步長≤0.01keV；
7. 單次放置樣品數(shù)目≥6 個；
8. 測量過程中可進行樣品切換；
9. 可進行正電子湮沒壽命測量；
10. 正電子壽命采集通道數(shù)≥2；
11. 可進行正電子單多普勒展寬測量；
12. 可進行正電子符合多普勒展寬測量；
13. 多普勒展寬峰谷比≥3.6×106；
14. 多普勒展寬探測器效率≥30%；
15. 多普勒展寬探測器能量分辨≤1.90keV@1.33MeV；
16. 多普勒展寬采集通道數(shù)≥2；
17. 使用計算機進行束流控制；
18. 具備可視化界面；
19. 可計算多普勒展寬譜 S/W 參數(shù)，可計算符合多普勒展寬和譜、差譜、商譜；
產(chǎn)品特色
l 表面界面測量：可以實現(xiàn)對材料表面和界面的微觀結(jié)構(gòu)表征，通過連續(xù) 改變正電子入射能量進行測量可以得到從表面到內(nèi)部的材料微觀結(jié)構(gòu)變化 表征。
l 正電子科學平臺：正電子束流可以作為正電子科學平臺，通過搭配不同 的樣品環(huán)境與探測單元，實現(xiàn)對樣品多條件、多參數(shù)的測量表征。
