H3TRB功率老化測試服務-第三方檢測中心

西安長禾半導體技術有限公司（簡稱“長禾實驗室”），位于中國西部科技創新高地——西安市，專注于功率半導體器件檢測與驗證。

作為國家認可委員會（CNAS）正式認證的大功率器件測試服務中心，長禾實驗室嚴格遵循國際標準，致力于為國內外客戶提供一站式專業測試服務。實驗室配備功率半導體測試設備和自動化測試平臺，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數驗證、可靠性評估和失效分析。憑借技術實力和創新能力，已成長為國內少數具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務的機構之一。業務涵蓋了軌道交通、新能源發電（風電、光伏）、新能源汽車、國防、工業控制、科研機構等多個領域，為中國核心產業鏈提供堅實的技術保障。

完善的基礎設施和優秀團隊一直是實驗室強化的重點，實驗室核心團隊研究生占比70%以上，具備深厚的學術背景和豐富的行業經驗。在質量控制方面，實驗室建立了完善的質量管理體系，嚴格執行實驗室管理標準。每個測試項目均建立了詳細的作業指導書，確保測試過程的標準化和可追溯性，數據的準確性和可靠性。

長禾實驗室秉持“嚴謹求實、精益求精”的企業精神，致力于推動中國功率半導體產業鏈的高質量發展，助力打造具備競爭力的半導體生態系統。未來，長禾實驗室將繼續發揮技術和資源優勢，立足西安，努力成長為優秀功率半導體測試與驗證服務平臺，助力中國“芯”騰飛！

高溫反偏試驗（HTRB）  

執行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度  150℃；電壓  5000V；

高溫柵偏試驗（HTGB）  

執行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度  150℃；電壓  100V；

高溫高濕反偏試驗（H3TRB）

執行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓  4500V；

質量控制的不足,尋找設計缺陷等。

H3TRB功率老化測試服務