SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤
我公司擁有多名日本專家、博士工程師及*經(jīng)營管理團(tuán)隊(duì)，擁有專業(yè)從事碳化硅涂層以及對石墨產(chǎn)品進(jìn)行高溫純化除雜技術(shù)。公司產(chǎn)品及技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，LED行業(yè)，航天航業(yè)，化工行業(yè)，光伏行業(yè)，包裝行業(yè)，耐腐蝕行業(yè)、冶金行業(yè)等領(lǐng)域。
公司通過引進(jìn)國外的CVD法碳化硅涂層及高溫純化裝置與技術(shù)，根據(jù)客戶需要為不同形狀，不同結(jié)構(gòu)和大小的石墨件純化除雜，純化后的石墨雜質(zhì)可降至小于5PPM,并采用高溫化學(xué)氣相沉積法沉積厚度的碳化硅涂層。
相比以往的工藝，CVD法生產(chǎn)的碳化硅晶體結(jié)構(gòu)致密，晶格排列整齊，與沉底材料結(jié)合更緊密等優(yōu)勢。具有耐高溫，耐磨損，耐腐蝕，易導(dǎo)熱的特點(diǎn)，憑借這些涂層，我們的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于制作流化床和熱氫化的反應(yīng)器部件，CZ直拉單晶爐的導(dǎo)流筒部件，以及硅外延和GaN外延的托盤。
產(chǎn)品指標(biāo)：
ü 材料：進(jìn)口等靜壓高純石墨
ü 純度：小于5ppm
ü SIC涂層厚度：120µm±30µm(涂層厚度可根據(jù)客戶要求定制)
ü 涂層表面粗糙度：6-8µm
ü 涂層后基座電阻率：0.0004-0.00045Microhm-m
ü 高均勻度和優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性
ü 耐電漿轟擊
ü 均溫性
ü 高耐腐蝕性和穩(wěn)定性
ü 理想的電阻特性
ü 使用壽命長
應(yīng)用領(lǐng)域：
ü LED芯片產(chǎn)業(yè)MOCVD外延片承載石墨托盤
ü ICP蝕刻制程用之承載盤
ü 硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料外延托盤
合能陽光
ü 提供各種規(guī)格碳化硅涂層石墨制品：承載盤，預(yù)熱環(huán)，篩盤，頂針等相關(guān)制品
ü 可接受根據(jù)圖紙定制加工業(yè)務(wù)
ü 質(zhì)量穩(wěn)定，交貨期短
主要客戶：
國內(nèi)半導(dǎo)體芯片企業(yè)、LED光電企業(yè)等
北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司（以下簡稱“合能陽光”）總部位于北京通州工業(yè)開發(fā)區(qū)，公司主導(dǎo)產(chǎn)品涉及半導(dǎo)體及光伏行業(yè)的檢測儀器、工藝和耗材領(lǐng)域，是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)及對外投資于一體的綜合性高科技公司。
公司所服務(wù)的客戶來自于國內(nèi)企業(yè)，如賽維LDK、保利協(xié)鑫、比亞迪、中電集團(tuán)、億晶光電、旭陽雷迪、錦州陽光、Ferro申和熱磁、國泰半導(dǎo)體、晶鑫科技、湖北晶星、大全新能源、新疆新能源、晶龍集團(tuán)、Pro-Q、光為、國電集團(tuán)、京運(yùn)通、七星華創(chuàng)、新天源、超日、*、中國表面物理與化學(xué)研究、成都光電、包頭山晟……等幾百家半導(dǎo)體和太陽能單位。
公司現(xiàn)有員工34人，大專本科以上學(xué)歷25人，研究生６人，博士１人，建筑面積3000m２。
近年來，公司的海外市場發(fā)展勢頭良好，產(chǎn)品出口到美國、歐洲、韓國、新加坡等國家地區(qū)，目前公司在和海外同行建立產(chǎn)品加工合作關(guān)系的同時(shí)還建立自己的代理商和銷售中心。
檢測儀器和產(chǎn)業(yè)耗材
SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤 產(chǎn)品信息
關(guān)鍵詞：芯片
