中國臺灣*法拉特FLT高精密大扭矩行星減速機，中國臺灣FLT法拉特伺服電機行星式減速機 近幾年來由于國際能源危機及地球環(huán)境改善帶來對新能源，可再生能源的鉅大需求，光伏產(chǎn)業(yè)齣現(xiàn)*的增長，半導體硅材料的生產(chǎn)又進入新的發(fā)展期，因此大力加速發(fā)展可再生能源.硅光伏產(chǎn)業(yè)及共基礎(chǔ)材料---高純半導體硅（單晶.多芯片）材料已成爲當務(wù)之急，而硅材料的生長離不開單晶硅爐和多晶硅爐的設(shè)備支持。

二、單晶硅爐的工藝流程簡介、技術(shù)需求及方案的分析

2-1、單晶硅爐的工藝流程簡介

單晶硅爐爐的組成組件可分成四部分

（1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱組件，爐壁

（2）晶棒及坩堝拉陞鏇轉(zhuǎn)機構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉陞鏇轉(zhuǎn)組件

（3）氣氛壓力控製：包括氣體流量控製，真空係統(tǒng)及壓力控製閥

（4）控製係統(tǒng)：包括偵測感應器及電腦控製係統(tǒng)

加工工藝：

加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長

（1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。

（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。

（3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產(chǎn)生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯的晶體。

（4）放肩生長：長完*之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。

（5）等徑生長：長完*和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。

（6）尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升*爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。

技術(shù)需求和方案分析

單晶硅爐上面共需要四個軸驅(qū)動，其中2個使用的是伺服控制系統(tǒng)，另外2個使用的是直流驅(qū)動裝置實現(xiàn)；該設(shè)備根據(jù)工藝需要，設(shè)備分為爐架、主爐室、副室、提拉旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，下隨動機構(gòu)及液壓提升機構(gòu)、真空及氣路系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、光學測量系統(tǒng)、電加熱和運動控制系統(tǒng)及計算機控制系統(tǒng)等諸多機構(gòu)。通過系統(tǒng)優(yōu)化，實現(xiàn)高科技產(chǎn)品的集成。其次設(shè)備采用了許多較新的機構(gòu)。如上提拉旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，通過花鍵軸配繞絲輪結(jié)合電刷環(huán)，在很小的體積上實現(xiàn)了穩(wěn)定提拉和旋轉(zhuǎn)，滿足工藝需求且降低了設(shè)備高度，再有下隨動機構(gòu)設(shè)備采用精密滾珠絲杠配合坩堝的磁流體密封，運動保持部件置于真空室外，實現(xiàn)精密運動與真空密封的*結(jié)合，使用穩(wěn)定可靠，還有液壓提升機構(gòu)對副室翻板閥的保持采用無自鎖，爐內(nèi)有漏硅等壓力驟增的緊急情況可以實現(xiàn)自動泄壓提高了設(shè)備的安全可靠性等等。在電器控制上設(shè)備采用可編程操作，代替了傳統(tǒng)的邏輯編程繼電器。電器控制系統(tǒng)由國產(chǎn)機大多采用的單片機，提升到IRCON和CCD工控自動化控制三個類型，提高了設(shè)備的自動化控制水平。